型号:

DI9400T

RoHS:
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DI9400T PDF
其它图纸 SO-8 Package Top
SO-8 Package Side 1
SO-8 Package Side 2
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 130 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 10V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSOP(0.130",3.30mm 宽)
供应商设备封装 8-SO
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DI9400
DI9400CT
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